MMBD6050LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 70.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
输出电流 ≤200 mA
正向电压 1.1V @100mA
极性 Standard
耗散功率 225 mW
热阻 417℃/W RθJA
反向恢复时间 4 ns
正向电流 200 mA
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBD6050LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBD6050LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD6050LT3G | ON Semiconductor 安森美 | 开关二极管 Switching Diode | 搜索库存 |
替代型号MMBD6050LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD6050LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 70V 100mA | 当前型号 | 开关二极管 Switching Diode | 当前型号 |
| 型号： MMBD6050LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 100mA | 完全替代 | Diode Small Signal Switching 70V 0.2A 3Pin SOT-23 T/R | MMBD6050LT3G和MMBD6050LT3的区别 |
| 型号： MMBD6050LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBD6050LT1G. 小信号二极管 | MMBD6050LT3G和MMBD6050LT1G的区别 |
| 型号： MMBD6050LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA | 类似代替 | 开关二极管 Switching Diode | MMBD6050LT3G和MMBD6050LT1的区别 |