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MMBZ6V2ALT1G

MMBZ6V2ALT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V2ALT1G.  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚

瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor

共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器

特别适用于自动插入

低泄漏


欧时:
### 瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


得捷:
TVS DIODE 3VWM 8.7VC SOT23-3


立创商城:
MMBZ6V2ALT1G


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 6.2V 225mW Dual Common Anode


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V2ALT1G.  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚


艾睿:
Never worry about unexpected ESD again from implementing this tvs MMBZ6V2ALT1G ESD protection device manufactured from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 8.7 V. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.


Allied Electronics:
MMBZ6V2ALT1G; Dual Uni-Directional TVS Diode; 24W; 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
Uni-Directional 24 W 8.7 V Surface Mount Transient Voltage Suppressor - SOT-23-3


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 3V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: transil; 24W; 6.2V; 2.76A; SOT23; Package: reel, tape


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 3V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V2ALT1G  TVS Diode, MMBZ Series, Unidirectional, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 Pins


Win Source:
TVS DIODE 3VWM 8.7VC SOT23


MMBZ6V2ALT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.20 V

工作电压 3 V

额定电流 1.00 A

额定功率 24.0 W

击穿电压 5.89 V

通道数 2

针脚数 3

耗散功率 300 mW

钳位电压 8.7 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 6.51 V

脉冲峰值功率 24 W

最小反向击穿电压 5.89 V

击穿电压 5.89 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级, 工业, 医用, 计算机和计算机周边, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBZ6V2ALT1G引脚图与封装图
MMBZ6V2ALT1G引脚图

MMBZ6V2ALT1G引脚图

MMBZ6V2ALT1G封装焊盘图

MMBZ6V2ALT1G封装焊盘图

在线购买MMBZ6V2ALT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBZ6V2ALT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V2ALT1G.  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚 搜索库存
替代型号MMBZ6V2ALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBZ6V2ALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 6.2V 1A 24W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V2ALT1G.  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚

当前型号

型号: MMBZ6V8ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 6.8V 6.8V

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V8ALT1G  单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚

MMBZ6V2ALT1G和MMBZ6V8ALT1G的区别

型号: SL05T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 5V 300W

类似代替

300W 低电容 TVS,用于高速线路保护TVS 二极管,与补偿二极管串联,提供低于 5pF 电容 峰值功率额定值为 300W,8x20μs ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

MMBZ6V2ALT1G和SL05T1G的区别

型号: PACDN042Y3R

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3

类似代替

ESD 保护器,On Semiconductor### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

MMBZ6V2ALT1G和PACDN042Y3R的区别