K4B2G0846D-HCH9
数据手册.pdf
Samsung
三星
电子元器件分类
K4B2G0846D-HCH9中文资料参数规格
技术参数
位数 8
存取时间Max 0.255 ns
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min 0 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 78
封装 FBGA
外形尺寸
封装 FBGA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
K4B2G0846D-HCH9引脚图与封装图
暂无图片
在线购买K4B2G0846D-HCH9
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| K4B2G0846D-HCH9 | Samsung 三星 | 2Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B2G0846D-HCH9 | 搜索库存 |
替代型号K4B2G0846D-HCH9
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： K4B2G0846D-HCH9 品牌： Samsung 三星 封装： | 当前型号 | 2Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B2G0846D-HCH9 | 当前型号 |
| 型号： MT41J128M8JP-15E:F 品牌： 镁光 封装： FBGA | 类似代替 | FBGA 78/128MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.5V | K4B2G0846D-HCH9和MT41J128M8JP-15E:F的区别 |
| 型号： MT41J256M8HX-15E:D 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78Pin FBGA | K4B2G0846D-HCH9和MT41J256M8HX-15E:D的区别 |
| 型号： MT41J256M8HX-125:D 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78Pin FBGA | K4B2G0846D-HCH9和MT41J256M8HX-125:D的区别 |