K4B2G0846D-HCH9、MT41J256M8HX-15E:D、MT41J128M8JP-187E:F对比区别

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型号 K4B2G0846D-HCH9 MT41J256M8HX-15E:D MT41J128M8JP-187E:F

描述 2Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B2G0846D-HCH9DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78Pin FBGADRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 78 78 78

封装 FBGA FBGA-78 FBGA

工作电压 - 1.50 V 1.50 V

位数 8 8 8

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

存取时间(Max) 0.255 ns 0.255 ns -

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V -

封装 FBGA FBGA-78 FBGA

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - 0℃ ~ 95℃ -