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K4B2G0846D-HCH9、MT41J128M8JP-15E:F、MT41J128M8JP-187E:F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4B2G0846D-HCH9 MT41J128M8JP-15E:F MT41J128M8JP-187E:F

描述 2Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B2G0846D-HCH9FBGA 78/128MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.5VDRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 78 78 78

封装 FBGA FBGA FBGA

工作电压 - 1.50 V 1.50 V

位数 8 8 8

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

存取时间(Max) 0.255 ns - -

电源电压 - 1.5 V -

封装 FBGA FBGA FBGA

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free