击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
封装 TO-205
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N2218 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 | 当前型号 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N1711 品牌: Multicomp 封装: TO-39 NPN 3W | 功能相似 | MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE | JAN2N2218和2N1711的区别 | |
型号: 2N2218A 品牌: Multicomp 封装: TO-39 NPN 800mW | 功能相似 | MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE | JAN2N2218和2N2218A的区别 | |
型号: JAN2N2218AL 品牌: 美高森美 封装: TO-5 | 功能相似 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | JAN2N2218和JAN2N2218AL的区别 |