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JAN2N2218、JAN2N2218AL、BCW61C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2218 JAN2N2218AL BCW61C

描述 NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTORNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTORt-Pnp Si- Gen Pur

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-205 TO-5 -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 800 mW 800 mW -

封装 TO-205 TO-5 -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -