2N6352、JAN2N6352、JANTX2N6352对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N6352 JAN2N6352 JANTX2N6352

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

封装 TO-213 TO-213 TO-213

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 4

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

耗散功率 - - 2 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 2000 @5A, 5V

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 TO-213 TO-213 TO-213

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tray

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99