JANTX2N7334
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N7334中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1400 mW
漏源极电压Vds 100 V
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-14
外形尺寸
封装 DIP-14
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
JANTX2N7334引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX2N7334
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N7334 | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 100V 1A | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N7334
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N7334 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 14-DIP | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 1A | 当前型号 |
| 型号： 2N7334 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 1A ID, 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, | JANTX2N7334和2N7334的区别 |
| 型号： IRFG110 品牌： 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A ID, 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-14 | JANTX2N7334和IRFG110的区别 |
