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IRFG110、JANTX2N7334对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFG110 JANTX2N7334

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-14Trans MOSFET N-CH 100V 1A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 - -

封装 - DIP-14

安装方式 - Through Hole

输入电容(Ciss) - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW

耗散功率 - 1400 mW

漏源极电压(Vds) - 100 V

额定功率(Max) - 1.4 W

封装 - DIP-14

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - Yes

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)