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C2012X5R1C106K125AC

C2012X5R1C106K125AC

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

10µF ±10% 16V Ceramic Capacitor X5R 0805 2012 Metric


得捷:
CAP CER 10UF 16V X5R 0805


欧时:
### TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。


艾睿:
Cap Ceramic 10uF 16V X5R 10% SMD 0805 85°C T/R


富昌:
C Series 0805 10 uF 16 V ±10% Tolerance X5R SMT Multilayer Ceramic Capacitor


Electro Sonic:
Cap Ceramic 10uF 16V X5R 10% Pad SMD 0805 85°C T/R


C2012X5R1C106K125AC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 16.0 V

电容 10 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 16 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

制造应用 Commercial Grade, for Automotive use., 通用, Please refer to Part No.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

C2012X5R1C106K125AC引脚图与封装图
C2012X5R1C106K125AC引脚图

C2012X5R1C106K125AC引脚图

C2012X5R1C106K125AC封装图

C2012X5R1C106K125AC封装图

C2012X5R1C106K125AC封装焊盘图

C2012X5R1C106K125AC封装焊盘图

在线购买C2012X5R1C106K125AC
型号 制造商 描述 购买
C2012X5R1C106K125AC TDK 东电化 TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质 高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 搜索库存
替代型号C2012X5R1C106K125AC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C2012X5R1C106K125AC

品牌: TDK 东电化

封装: 2012 10uF 16V 10per

当前型号

TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

当前型号

型号: GRM21BR61C106KE15L

品牌: 村田

封装: 10µF 16V ±10%

类似代替

MURATA  GRM21BR61C106KE15L  多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 10 µF, ± 10%, X5R, 16 V, 0805 [2012 公制]

C2012X5R1C106K125AC和GRM21BR61C106KE15L的区别

型号: CL21A106KOQNNNF

品牌: 三星

封装: 0805 10uF 16V 10per

类似代替

10uF106 ±10% 16V 编带

C2012X5R1C106K125AC和CL21A106KOQNNNF的区别

型号: CL21A106KOFNNNE

品牌: 三星

封装: 0805 10µF 16V ±10%

类似代替

CL21 系列 10 uF 16 V ±10% 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容

C2012X5R1C106K125AC和CL21A106KOFNNNE的区别