BC32725
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC32725中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 630
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC32725引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC32725
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC32725 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BC32725BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC32725BU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFE | BC32725和BC32725BU的区别 |
| 型号： BC327BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 类似代替 | PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BC32725和BC327BU的区别 |
| 型号： BC32716 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 类似代替 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | BC32725和BC32716的区别 |