BC32725、BC327BU、BC32725BU对比区别

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型号 BC32725 BC327BU BC32725BU

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

针脚数 - - 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 625 mW 0.625 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 630 - 630

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

高度 5.33 mm 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 5.2 mm 4.58 mm -

宽度 4.19 mm 3.86 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99