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BC32725、BC32725BU、BC32725TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC32725 BC32725BU BC32725TA

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725TA  双极性晶体管, PNP, 50V, 800mA, TO-92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -50.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

针脚数 - 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 630 630 630

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 250 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99