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ADR425BR、ADR425BR-REEL7、ADR425BRZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR425BR ADR425BR-REEL7 ADR425BRZ

描述 超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage ReferencesANALOG DEVICES  ADR425BRZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR425系列, 5V, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 7.00V ~ 18.0V

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 600 µA 600 µA 600 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电压(Max) 5 V - 5.002 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

精度 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 7V ~ 18V

针脚数 - - 8

输入电压(Min) - - 7 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99