ADR425BR-REEL7、ADR425BRZ-REEL7、ADR425BR对比区别

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型号 ADR425BR-REEL7 ADR425BRZ-REEL7 ADR425BR

描述 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 18.0V (max)

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 600 µA 600 µA 600 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电压(Max) - 5 V 5 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 7V ~ 18V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 - - EAR99