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AUIRS2113STR

AUIRS2113STR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 16-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC


欧时:
Infineon AUIRS2113STR


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, WSOIC-16


艾睿:
Driver 600V 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 16-Pin SOIC W T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 16-Pin SOIC W T/R


AUIRS2113STR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 15ns

输出接口数 2

输出电流 2.5 A

针脚数 16

耗散功率 1250 mW

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

宽度 7.6 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HV DC-DC Converter, Embedded Charger, Oil Pump, Motor Inverter, Exhaust, HVAC Compressor

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AUIRS2113STR引脚图与封装图
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在线购买AUIRS2113STR
型号 制造商 描述 购买
AUIRS2113STR Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号AUIRS2113STR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AUIRS2113STR

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IRS2113SPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 10V

类似代替

INFINEON  IRS2113SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16

AUIRS2113STR和IRS2113SPBF的区别

型号: AUIRS2113S

品牌: 英飞凌

封装: REEL

类似代替

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

AUIRS2113STR和AUIRS2113S的区别