AUIRS2113S、AUIRS2113STR、IRS2113STRPBF对比区别
型号 AUIRS2113S AUIRS2113STR IRS2113STRPBF
描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 16 16 16
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
电源电压(DC) - - 10.0V (min)
上升/下降时间 25ns, 15ns 25ns, 15ns 25ns, 17ns
输出接口数 2 2 2
输出电流 - 2.5 A 2.5 A
针脚数 - 16 16
耗散功率 1250 mW 1250 mW 1.25 W
上升时间 - - 35 ns
下降时间 - - 25 ns
下降时间(Max) 30 ns 30 ns 25 ns
上升时间(Max) 40 ns 40 ns 35 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW
电源电压 3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V
电源电压(Min) 3 V 10 V 10 V
长度 10.5 mm - 10.5 mm
宽度 7.6 mm 7.6 mm 7.6 mm
高度 2.35 mm - 2.35 mm
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99