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AUIRS2113STR、IRS2113SPBF、AUIRS2113S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRS2113STR IRS2113SPBF AUIRS2113S

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRS2113SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

上升/下降时间 25ns, 15ns 25ns, 17ns 25ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2.5 A 2.5 A -

针脚数 16 16 -

耗散功率 1250 mW 1250 mW 1250 mW

下降时间(Max) 30 ns 25 ns 30 ns

上升时间(Max) 40 ns 35 ns 40 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 3 V

电源电压(DC) - 10.0V (min) -

额定功率 - 1.25 W -

输出电压 - 600 V -

通道数 - 2 -

宽度 7.6 mm 7.6 mm 7.6 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 10.5 mm 10.5 mm

高度 - 2.35 mm 2.35 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -