APT10021JFLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10021JFLL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 37.0 A
极性 N-CH
耗散功率 694 W
输入电容 9.75 nF
栅电荷 395 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 37.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 9750pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 694W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10021JFLL引脚图与封装图
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在线购买APT10021JFLL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10021JFLL | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 1000V 37A | 搜索库存 |
替代型号APT10021JFLL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10021JFLL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 37A 9.75nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 1000V 37A | 当前型号 |
| 型号： APT10021JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 37A 9.75nF | 完全替代 | SOT-227 N-CH 1000V 37A | APT10021JFLL和APT10021JLL的区别 |
| 型号： APT10025JVR 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 34A 18nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227 | APT10021JFLL和APT10025JVR的区别 |
| 型号： IXFN36N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 1kV 36A 240mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V | APT10021JFLL和IXFN36N100的区别 |