APT10021JFLL、APT10021JLL、IXFN38N100P对比区别

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型号 APT10021JFLL APT10021JLL IXFN38N100P

描述 SOT-227 N-CH 1000V 37ASOT-227 N-CH 1000V 37AIXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

安装方式 Screw Screw -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 210 mΩ

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 694 W 694 W 1 kW

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - - 1000 V

连续漏极电流(Ids) 37.0 A 37.0 A 38A

上升时间 22 ns 22 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 9750pF @25V(Vds) 24000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1000 W

下降时间 20 ns 20 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 694W (Tc) 694W (Tc) 1000W (Tc)

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 37.0 A 37.0 A -

输入电容 9.75 nF 9.75 nF -

栅电荷 395 nC 395 nC -

长度 - - 38.23 mm

宽度 - - 25.42 mm

高度 - - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free