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APT10021JFLL、APT10025JVR、APT10021JLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10021JFLL APT10025JVR APT10021JLL

描述 SOT-227 N-CH 1000V 37ATrans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 1000V 37A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 37.0 A 34.0 A 37.0 A

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 694 W 700 W 694 W

输入电容 9.75 nF 18.0 nF 9.75 nF

栅电荷 395 nC 990 nC 395 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 37.0 A 34.0 A 37.0 A

上升时间 22 ns 20 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 9750pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 16 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 694W (Tc) 700000 mW 694W (Tc)

封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free