APT10035JFLL、APT10035JLL、IXTN21N100对比区别

高亮显示差异参数

型号 APT10035JFLL APT10035JLL IXTN21N100

描述 SOT-227 N-CH 1000V 25ATrans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 3

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 28.0 A 28.0 A 21.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 350 mΩ -

耗散功率 520000 mW 520 W 520W (Tc)

阈值电压 - 3 V -

输入电容 5.18 nF 5.18 nF -

栅电荷 186 nC 186 nC -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A 21.0 A

上升时间 10 ns 10 ns 50.0 ns

输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 5185pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 520 W 520 W

下降时间 9 ns 9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520000 mW 520W (Tc) 520W (Tc)

额定功率 - - 520 W

极性 N-CH - N-Channel

长度 - 38 mm -

宽度 - 25.2 mm -

高度 - 8.9 mm -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free