APT10M19BVR
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
APT10M19BVR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 370 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
APT10M19BVR引脚图与封装图
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在线购买APT10M19BVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10M19BVR | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 100V 75A | 搜索库存 |
替代型号APT10M19BVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10M19BVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 100V 75A | 当前型号 | TO-247 N-CH 100V 75A | 当前型号 |
| 型号： APT10M19BVRG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 100V 75A 6.12nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin3+Tab TO-247 | APT10M19BVR和APT10M19BVRG的区别 |
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