APT10M19BVR、HUF75652G3、APT10M19BVRG对比区别

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型号 APT10M19BVR HUF75652G3 APT10M19BVRG

描述 TO-247 N-CH 100V 75AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75652G3..  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 75.0 A 75.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0067 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 370 W 515 W 370 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 75.0 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 7585pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 515 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 515W (Tc) 370000 mW

输入电容 - - 6.12 nF

栅电荷 - - 300 nC

上升时间 40 ns - 40 ns

下降时间 20 ns - 20 ns

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 4.82 mm -

高度 - 20.82 mm -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -