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APT10M19BVR、APT10M19BVRG、HUF75652G3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10M19BVR APT10M19BVRG HUF75652G3

描述 TO-247 N-CH 100V 75ATrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75652G3..  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 75.0 A 75.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 370 W 370 W 515 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 75.0 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 7585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 515 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 370000 mW 515W (Tc)

输入电容 - 6.12 nF -

栅电荷 - 300 nC -

上升时间 40 ns 40 ns -

下降时间 20 ns 20 ns -

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 20.82 mm

封装 TO-247 TO-247 TO-247-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99