频率 2 GHz
额定电压DC 3.00 V
额定电流 120 mA
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 5 V
连续漏极电流Ids 120 mA
输出功率 21.4 dBm
增益 17.5 dB
测试电流 60 mA
工作温度Max 150 ℃
额定电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 0505
封装 0505
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ATF-541M4-TR1 | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ATF-541M4-TR1 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: Mini 3V 60mA 360mW | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | 当前型号 | |
型号: ATF-541M4-BLK 品牌: 安华高科 封装: Mini | 完全替代 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | ATF-541M4-TR1和ATF-541M4-BLK的区别 | |
型号: ATF-541M4-TR2 品牌: 博通 封装: Mini | 类似代替 | Trans JFET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin Mini-PAK T/R | ATF-541M4-TR1和ATF-541M4-TR2的区别 |