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ATF-541M4-TR1

ATF-541M4-TR1

数据手册.pdf
AVAGO Technologies 安华高科 主动器件
ATF-541M4-TR1中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

额定电压DC 3.00 V

额定电流 120 mA

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 5 V

连续漏极电流Ids 120 mA

输出功率 21.4 dBm

增益 17.5 dB

测试电流 60 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 0505

外形尺寸

封装 0505

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ATF-541M4-TR1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ATF-541M4-TR1 AVAGO Technologies 安华高科 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage 搜索库存
替代型号ATF-541M4-TR1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ATF-541M4-TR1

品牌: AVAGO Technologies 安华高科

封装: Mini 3V 60mA 360mW

当前型号

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

当前型号

型号: ATF-541M4-BLK

品牌: 安华高科

封装: Mini

完全替代

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

ATF-541M4-TR1和ATF-541M4-BLK的区别

型号: ATF-541M4-TR2

品牌: 博通

封装: Mini

类似代替

Trans JFET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin Mini-PAK T/R

ATF-541M4-TR1和ATF-541M4-TR2的区别