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ATF-541M4-BLK、ATF-541M4-TR1、ATF-541M4-TR1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-541M4-BLK ATF-541M4-TR1 ATF-541M4-TR1G

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single Voltage射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single VoltageRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, 1.4 MM X 1.2 MM, 0.7 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦)

分类 JFET晶体管晶体管

基础参数对比

封装 0505 0505 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

频率 2 GHz 2 GHz -

额定电流 120 mA 120 mA -

耗散功率 360 mW 360 mW -

漏源极电压(Vds) 5 V 5 V -

输出功率 21.4 dBm 21.4 dBm -

增益 17.5 dB 17.5 dB -

测试电流 60 mA 60 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压(DC) - 3.00 V -

连续漏极电流(Ids) - 120 mA -

额定电压 - 5 V -

封装 0505 0505 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -