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ATF-541M4-TR1、ATF-541M4-TR2、ATF-541M4-BLK对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-541M4-TR1 ATF-541M4-TR2 ATF-541M4-BLK

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single VoltageTrans JFET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin Mini-PAK T/R射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 晶体管晶体管JFET晶体管

基础参数对比

封装 0505 0505 0505

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 - -

频率 2 GHz 2 GHz 2 GHz

额定电流 120 mA 120 mA 120 mA

耗散功率 360 mW 360 mW 360 mW

漏源极电压(Vds) 5 V - 5 V

输出功率 21.4 dBm 21.4 dBm 21.4 dBm

增益 17.5 dB 17.5 dB 17.5 dB

测试电流 60 mA 60 mA 60 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 3.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 120 mA - -

额定电压 5 V 5 V -

漏源击穿电压 - 5 V -

栅源击穿电压 - ±5 V -

封装 0505 0505 0505

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free