AT-41435G
数据手册.pdf
AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
AT-41435G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 60.0 mA
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10dB ~ 18.5dB
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 8V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 Micro-X
外形尺寸
封装 Micro-X
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
AT-41435G引脚图与封装图
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在线购买AT-41435G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AT-41435G | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X | 搜索库存 |
替代型号AT-41435G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AT-41435G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： 4-SMD NPN 12V 60mA 500mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X | 当前型号 |
| 型号： AT-41435 品牌： 安华高科 封装： | 功能相似 | RF Bipolar Transistor | AT-41435G和AT-41435的区别 |
| 型号： MRF951 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, L Band, Silicon, NPN | AT-41435G和MRF951的区别 |