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AT-41435、AT-41435G、2SC2636对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-41435 AT-41435G 2SC2636

描述 RF Bipolar TransistorTrans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X硅NPN外延平面 SI NPN EPITAXIAL PLANAR

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 - Micro-X -

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 60.0 mA -

极性 - NPN -

耗散功率 - 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

增益 - 10dB ~ 18.5dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10mA, 8V -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 - Micro-X -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -