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AT-41435G、MRF951、2SC5231对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-41435G MRF951 2SC5231

描述 Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-XRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), L Band, Silicon, NPNNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Advanced Semiconductor Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

封装 Micro-X - -

额定电压(DC) 12.0 V - -

额定电流 60.0 mA - -

极性 NPN - -

耗散功率 500 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V - -

增益 10dB ~ 18.5dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 8V - -

额定功率(Max) 500 mW - -

封装 Micro-X - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -