制造商型号: | SIC639ACD-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 点火芯片 |
商品描述: | INTEGRATED POWER STAGE POWERPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIC639ACD-T1-GE3
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SIC639ACD-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIC639ACD-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay Siliconix
系列 VRPower®
包装 卷带(TR)
产品状态 在售
技术类参数
导通电阻(标称值) -
电流 输出/通道 50A
电流输出 -
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电压-负载 4.5V ~ 5.5V
规格参数
负载类型 电感,电容性
技术 功率 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
特性 自举电路,二极管仿真,状态标志
故障保护 击穿,UVLO
其它
输出配置 半桥(2)
应用 同步降压转换器
接口 PWM
产品编号 SIC639
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 PowerPAK® MLP55-31L
供应商器件封装 PowerPAK® MLP55-31L
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥18.405775 总价:¥55217.32 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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3000 | 18.405775 | 55217.32 |