制造商型号： | APT70GR65B2SCD30 |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT70GR65B2SCD30
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APT70GR65B2SCD30 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT70GR65B2SCD30
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
134A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
260A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.4V @ 15V, 70A
功率 - 最大值
595W
开关能量
-
输入类型
-
栅极电荷
305nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/170ns
测试条件
433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
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品牌其他型号
APT70GR65B2SCD30品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-IGBT
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