制造商型号： | EPC2110ENGRT |
制造商： | EPS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2110ENGRT
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EPC2110ENGRT 中文资料
数据手册PDF
EPC2110ENGRT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2110ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
60mOhm @ 4A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥12.550343 总价：￥31375.86 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 12.550343 | 31375.86 |
| 5000 | 12.085454 | 60427.27 |
品牌其他型号
EPC2110ENGRT品牌厂家：EPS
，所属分类： 射频晶体管
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