制造商型号： | DMN1250UFEL-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN1250UFEL-7
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DMN1250UFEL-7 中文资料
数据手册PDF
DMN1250UFEL-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 8 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.9 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.599918 | 7799.75 |
| 6000 | 2.339927 | 14039.56 |
| 15000 | 2.166598 | 32498.97 |
| 30000 | 2.131919 | 63957.57 |
品牌其他型号
DMN1250UFEL-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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