制造商型号： | APTGV50H60BT3G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTGV50H60BT3G
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APTGV50H60BT3G 中文资料
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APTGV50H60BT3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGV50H60BT3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT, Trench Field Stop
配置
Boost Chopper, Full Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
65A
功率 - 最大值
250W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.45V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）
250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2.2nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
品牌其他型号
APTGV50H60BT3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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