制造商型号: | IPD85P04P407ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IPD85P04P407ATMA1
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IPD85P04P407ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD85P04P407ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 89 nC
耗散功率 88 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 24 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD85P04P4-07 SP000842066
单位重量 330 mg
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 8.110124 | 20275.31 |
品牌其他型号
IPD85P04P407ATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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