制造商型号： | MRFX1K80HR5 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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NXP(恩智浦) MRFX1K80HR5
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MRFX1K80HR5 中文资料
数据手册PDF
MRFX1K80HR5 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 43 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 179 V
工作频率 1.8 MHz to 400 MHz
输出功率 1.8 kW
正向跨导（Min） 44.7 S
通道数量 2 Channel
耗散功率 2247 W
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V
规格参数
增益 25.1 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935351859178
单位重量 13.159 g
库存： 33
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2430.961603 | 2430.96 |
| 10 | 2328.297743 | 23282.98 |
| 25 | 2276.937152 | 56923.43 |
品牌其他型号
MRFX1K80HR5品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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