制造商型号： | AFT09MS007NT1 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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NXP(恩智浦) AFT09MS007NT1
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AFT09MS007NT1 中文资料
数据手册PDF
AFT09MS007NT1 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 400 mV, 30 V
工作频率 870 MHz
输出功率 7.3 W
湿度敏感性 Yes
耗散功率 114 W
栅极电压 - 6 V, 12 V
栅源极阈值电压 2.1 V
规格参数
增益 15.2 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935318254515
单位重量 280 mg
库存： 2792
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 56.614333 | 56.61 |
| 10 | 50.866372 | 508.66 |
| 25 | 48.094988 | 1202.37 |
| 100 | 41.680758 | 4168.08 |
| 250 | 39.544 | 9886.00 |
| 500 | 35.482602 | 17741.30 |
品牌其他型号
AFT09MS007NT1品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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