制造商型号: | RGT50TM65DGC9 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | FIELD STOP TRENCH IGBT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RGT50TM65DGC9
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RGT50TM65DGC9 中文资料
数据手册PDF
RGT50TM65DGC9 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50TM65D
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 42.915054 | 42.92 |
10 | 36.061085 | 360.61 |
100 | 29.172286 | 2917.23 |
500 | 25.931142 | 12965.57 |
1000 | 22.203504 | 22203.50 |
2000 | 20.906971 | 41813.94 |
5000 | 20.058124 | 100290.62 |