制造商型号: | CMSBN6601-HF |
制造商: | COMCHIP (台湾典琦科技股份) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CH 20VDS 12VGS 13A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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COMCHIP(台湾典琦科技股份) CMSBN6601-HF
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CMSBN6601-HF 中文资料
数据手册PDF
CMSBN6601-HF 规格参数
关键信息
制造商 Comchip Technology
商标 Comchip Technology
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 11.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 55 us
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 5 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 us
典型接通延迟时间 1.5 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET