制造商型号： | RS1L120GNTB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RS1L120GNTB
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RS1L120GNTB 中文资料
数据手册PDF
RS1L120GNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 12.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1L120GN
单位重量 771.020 mg
库存： 9
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.715781 | 20.72 |
| 10 | 18.573178 | 185.73 |
| 100 | 14.931935 | 1493.19 |
| 500 | 12.268006 | 6134.00 |
| 1000 | 10.16482 | 10164.82 |
品牌其他型号
RS1L120GNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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