制造商型号： | APT60GT60JRDQ3 |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT 600V 105A 379W SOT227 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT60GT60JRDQ3
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APT60GT60JRDQ3 中文资料
数据手册PDF
APT60GT60JRDQ3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT60GT60JRDQ3
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT 600V 105A 379W SOT227
包装
-
系列
Thunderbolt IGBT®
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT
配置
Single
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
105A
功率 - 最大值
379W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.5V @ 15V, 60A
电流 - 集电极截止（最大值）
330µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
3.1nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
ISOTOP®
APT60GT60JRDQ3 同类别型号
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
