制造商型号： | IRF7464TRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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INFINEON(英飞凌) IRF7464TRPBF
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IRF7464TRPBF 中文资料
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IRF7464TRPBF 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF7464TRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
730mOhm @ 720mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
280pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
品牌其他型号
IRF7464TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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