制造商型号： | SQJ860EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SQJ860EP-T1_GE3
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SQJ860EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ860EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 78 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 12507
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.2555 | 10.26 |
| 10 | 9.056965 | 90.57 |
| 25 | 8.505887 | 212.65 |
| 100 | 6.171834 | 617.18 |
| 250 | 5.952638 | 1488.16 |
| 500 | 5.15691 | 2578.45 |
| 1000 | 4.38886 | 4388.86 |
品牌其他型号
SQJ860EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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