制造商型号： | RD3G600GNTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RD3G600GNTL
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RD3G600GNTL 中文资料
数据手册PDF
RD3G600GNTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3G600GN
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥25.457986 总价：￥25.46 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 25.457986 | 25.46 |
| 10 | 22.872409 | 228.72 |
| 100 | 18.385439 | 1838.54 |
| 500 | 15.105603 | 7552.80 |
| 1000 | 12.516181 | 12516.18 |
品牌其他型号
RD3G600GNTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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