制造商型号： | QS8J12TCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS8J12TCR
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QS8J12TCR 中文资料
数据手册PDF
QS8J12TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 8 V, 0 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 150 ns
正向跨导（Min） 5.5 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J12
单位重量 10 mg
