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ROHM(罗姆) R6003KND3TL1

ROHM(罗姆) R6003KND3TL1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

R6003KND3TL1

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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R6003KND3TL1 中文资料

数据手册PDF

R6003KND3TL1 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 3 A

漏源电阻 1.5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 44 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 40 ns

正向跨导(Min) 0.8 S

上升时间 17 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32 ns

典型接通延迟时间 17 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

2500 个

整装:

¥10
单价:¥5.128795 总价:¥12821.99

价格(含增值税)

数量 单价 总价
2500 5.128795 12821.99
品牌其他型号
R6003KND3TL1品牌厂家:ROHM ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购R6003KND3TL1、查询R6003KND3TL1代理商; R6003KND3TL1价格批发咨询客服;这里拥有 R6003KND3TL1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 R6003KND3TL1替代型号R6003KND3TL1数据手册PDF