制造商型号: | DMC3060LVT-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3060LVT-13
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DMC3060LVT-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3060LVT-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A, 2.8 A
漏源电阻 60 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 11.3 nC, 8.6 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.7 ns, 29.5 ns
上升时间 30.8 ns, 17.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18.3 ns, 17.8 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns, 7.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMC3060LVT-13 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 10000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1.310726 总价:¥13107.26 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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10000 | 1.310726 | 13107.26 |